俄罗斯计划 2030 年实现 28 纳米芯片自产

因乌克兰战争,俄罗斯受到了世界大部分地区的排斥和制裁,由于无法从供应商获得芯片,该国正在制定计划重振陷入困境的半导体制造行业。该国新的芯片计划在未来八年中进行巨额投资,目标听起来也算不上雄心勃勃。例如台积电计划在 2026 年实现2纳米,而俄罗斯希望本地芯片制造到 2030 年能实现 28 纳米。俄罗斯政府制定了新的微电子发展计划的初步版本,到 2030 年需要投入 3.19 万亿卢布(384.3 亿美元)。据 Cnews 报道,这笔资金将用于发展当地的半导体制造技术、国内芯片开发、数据中心基础设施,培养当地人才以及营销国内自制芯片和解决方案。该国计划在半导体制造方面投资 4200 亿卢布(50 亿美元),用于新的制造技术及其提升。短期目标之一是在年底前使用 90 纳米制造技术提高本地芯片产量。一个更长期的目标是到 2030 年建立 28 纳米制造节点,这是台积电在 2011 年做到的事。

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